Micron : la première technologie NAND à 232 brins au monde

Micron Technology a annoncé aujourd’hui qu’elle avait réussi à produire en masse la première NAND à 232 couches dans le monde, grâce à des innovations de pointe.

La nouvelle NAND à 232 cellules offre une capacité et une efficacité énergétique accrues par rapport aux versions précédentes de la NAND, ce qui permet d’offrir le meilleur soutien possible dans les cas d’utilisation à haute intensité de données sur le cloud et de présenter la densité de surface la plus élevée du marché.

La technologie NAND 232 brins de Micron est un moment décisif pour l’innovation en matière de stockage, car elle est la première preuve de la capacité à faire évoluer la technologie NAND 3D vers plus de 200 brins en production. Cette technologie révolutionnaire a nécessité de nombreuses innovations, notamment des capacités de traitement avancées pour créer des structures de haute capacité, de nouvelles avancées dans les matériaux et des améliorations de conception avancées basées sur notre technologie NAND 176 brins, leader du marché.

La technologie NAND à 232 couches de Micron offre le stockage à hautes performances nécessaire pour soutenir les solutions d’avant-garde et les services en temps réel nécessaires aux centres de données et aux applications automobiles, ainsi que les expériences passionnantes et simultanées sur les dispositifs mobiles, l’électronique de consommation et les systèmes informatiques de consommation.

Ce nœud technologique permet d’introduire la vitesse d’entrée/sortie la plus élevée du système, soit 2,4 gigaoctets par seconde (Go/s), afin de répondre aux exigences de faible latence et de vitesse élevée effective des secteurs d’activité axés sur les données, tels que l’intelligence artificielle et l’apprentissage automatique, les bases de données non structurées, l’analyse en temps réel et l’informatique en nuage. Cette vitesse représente le double de la vitesse de transfert des données de l’interface la plus rapide disponible sur le module NAND à 176 couches de Micron. La NAND à 232 strati de Micron offre anche una larghezza di banda di scrittura fino al 100% superiore e una larghezza di banda di lettura per die superiore del 75% rispetto alla generazione precedente.